UltraTEV Plus的TEV讀數(shù)解釋指南

來源：北京康高特儀器設(shè)備有限公司發(fā)布時(shí)間：2018-03-16 11:55:54 作者：瀏覽次數(shù)：3701次分類：技術(shù)文章

TEV讀數(shù)	結(jié)論
1.高背景讀數(shù)，即大于20dB	(a)高水平噪聲可能會(huì)掩蓋開關(guān)柜內(nèi)的放電 (b)可能是由于外部的影響可能時(shí)，應(yīng)該消除外部干擾源再重新測(cè)試，或使用局部放電檢測(cè)儀以識(shí)別開關(guān)柜中的任何放電。
2.如果開關(guān)柜和背景基準(zhǔn)的所有讀數(shù)都小于20dB。	無重大放電。每年一次重新檢查。
3.開關(guān)柜讀數(shù)比背景水平高10dB，且讀數(shù)大于20dB（*，亦即不是比背景高20dB），以及計(jì)數(shù)值高于50.	很有可能在開關(guān)柜內(nèi)有內(nèi)部放電活動(dòng)。建議用局部放電定位器或局部放電檢測(cè)儀作進(jìn)一步的檢查。
4.計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)率大于1000	在該區(qū)域中可能有背景電磁干擾。如果讀數(shù)大于20dB，則建議安裝一個(gè)局部放電檢測(cè)儀來識(shí)別外部電磁活動(dòng)。表面放電可能會(huì)產(chǎn)品高的計(jì)數(shù)率。如果是這樣，則會(huì)存在超聲波信號(hào)并可用UltraTEV Plus+來檢測(cè)到（如果存在空氣傳播路徑的話。）

       TEV讀數(shù)（dB）與放電幅值（pC）的關(guān)系
       傳統(tǒng)的按照 IEC60270 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的局部放電檢測(cè)都是測(cè)量放電時(shí)高壓導(dǎo)體產(chǎn)生的視在電荷量。因此，放電幅值一般是以皮庫(kù)（pC）來表示。在傳統(tǒng)的局部放電檢測(cè)儀的檢測(cè)頻率（一般為 10 - 300kHz）上，各種高壓儀器（除長(zhǎng)電纜外）都可以等效為集中電容。TEV 測(cè)量則是在 3 - 100MHz 的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行。在這些頻率上，高壓電力儀器更近似傳輸線而不是電容器。電壓/時(shí)間曲線下方的區(qū)域面積與放電過程中的電荷轉(zhuǎn)移量成正比。TEV 傳感器測(cè)量被測(cè)瞬態(tài)過程的峰值電壓，而不是曲線下方的區(qū)域面積。因此，它不是直接測(cè)量電荷。另外，所測(cè)量的是在金屬面板外表面上檢測(cè)到的波峰, 這只是面板內(nèi)部信號(hào)的一部分而已。當(dāng)脈沖沿著金屬鎧裝的外表面?zhèn)鞑r(shí)，它*會(huì)散開即在時(shí)域上展開。同時(shí)曲線下方的區(qū)域面積又保持不變，這樣脈沖幅值*會(huì)減小。因此，脈沖被檢測(cè)到的地方離放電源越遠(yuǎn) ，則衰減*越大。顯然，dB 和 pC 之間的關(guān)系取決于多種因素，其中大多數(shù)都是不可量化的。

       dB-pC參考指南，靠近25kV電纜終端處
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